SSD SAMSUNG 990 EVO PLUS 4TB NVME

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€661,65 EUR
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SSD SAMSUNG 990 EVO PLUS 4TB NVME

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Caracteristicas Principales

Realice las tareas más rápido. Archivos enormes, transferencia instantánea. Energía fresca durante todo el día. Eficiencia optimizada, rendimiento extendido. El controlador recubierto de níquel aumenta los MB/s por vatio en un 73 %, logrando el mismo nivel de potencia y control térmico con un menor consumo de energía. Manténgase concentrado en el trabajo o el juego sin preocupaciones por el sobrecalentamiento o la duración de la batería.

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Caracteristicas

Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
  • 4 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Velocidad de lectura: 7250 MB/s 1050000 IOPS
  • Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1400000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: PC
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Especificaciones

Peso y dimensiones Altura 80,2 mm
Ancho 80,2 mm
Peso 9 g
Profundidad 2,38 mm
Condiciones ambientales Golpes en funcionamiento 1500 G
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Control de energía Consumo de energía (escritura) 4,8 W
Consumo de energía (espera) 0,06 W
Consumo de energía (lectura) 5,5 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW
Voltaje de operación 3,3 V
Empaquetado Altura del paquete 22 mm
Ancho del paquete 148 mm
Peso del paquete 70 g
Profundidad del paquete 100 mm
Características Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Componente para PC
Encriptación de hardware Si
Escritura aleatoria (4KB) 1400000 IOPS
Factor de forma de disco SSD M.2
Función DevSleep Si
Interfaz PCI Express 4.0
Lectura aleatoria (4KB) 1050000 IOPS
NVMe Si
SDD, capacidad 4 TB
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Tipo de memoria V-NAND TLC
Velocidad de escritura 6300 MB/s
Velocidad de lectura 7250 MB/s
Versión NVMe 2.0