SSD interno Samsung MZ-V9S2T0 de 2TB, disco duro NVMe PCIe Gen 4.0 con memoria V-NAND TLC, para alto rendimiento.

Disco Duro Samsung 990 EVO Plus 2TB Disco SSD 7250MB/S NVME PCIe 5.0 x2 NVMe 2.0 NAND

€320,55 EUR
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SSD interno Samsung MZ-V9S2T0 de 2TB, disco duro NVMe PCIe Gen 4.0 con memoria V-NAND TLC, para alto rendimiento.

Disco Duro Samsung 990 EVO Plus 2TB Disco SSD 7250MB/S NVME PCIe 5.0 x2 NVMe 2.0 NAND

Caracteristicas Principales

Realice las tareas más rápido. Archivos enormes, transferencia instantánea. Energía fresca durante todo el día. Eficiencia optimizada, rendimiento extendido. El controlador recubierto de níquel aumenta los MB/s por vatio en un 73 %, logrando el mismo nivel de potencia y control térmico con un menor consumo de energía. Manténgase concentrado en el trabajo o el juego sin preocupaciones por el sobrecalentamiento o la duración de la batería.

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Caracteristicas

Realice las tareas más rápido. El 990 EVO Plus con la última NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7250/6300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantánea
  • Energía fresca durante todo el día. Eficiencia optimizada, rendimiento extendido. El controlador recubierto de níquel aumenta los MB/s por vatio en un 73 %, logrando el mismo nivel de potencia y control térmico con un menor consumo de energía. Manténgase concentrado en el trabajo o el juego sin preocupaciones por el sobrecalentamiento o la duración de la batería.
  • Más espacio. Más velocidad. Aproveche toda la potencia de su unidad con la tecnología TurboWrite 2.0 mejorada. Procese grandes cantidades de datos más rápido y utilice gráficos pesados ​​con una región TurboWrite ampliada
  • Software Samsung Magician. Haga que su SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento de SSD. Es una forma segura y sencilla de migrar todos sus datos para actualizar su SSD Samsung. Proteja datos valiosos, controle el estado de la unidad y obtenga las últimas actualizaciones de firmware.
  • Dando vida a las innovaciones. Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han cambiado cada aspecto de nuestra vida diaria. Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestros SSD de consumo, lo que abre paso al próximo gran impulso de la innovación.
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Especificaciones


Características SDD. capacidad: 2 TB
Factor de forma de disco SSD: M.2
Interfaz: PCI Express 4.0
NVMe: Si
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Componente para: PC
Encriptación de hardware: Si
Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura: 7150 MB/s
Velocidad de escritura: 6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía Voltaje de operación: 3.3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura): 4.6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura): 4.2 W
Peso y dimensiones Ancho: 80.2 mm
Profundidad: 2.38 mm
Altura: 22.1 mm
Peso: 9 g
Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento: 1500 G