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Disco Duro Samsung 990 PRO 4TB SSD PCIe 4.0 NVMe M.2 con Disipador Térmico
Caracteristicas Principales
€804,10 EUR
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Caracteristicas
- Velocidad PCIe®4.0 maximizada: Un gran aumento de velocidad. Obtén velocidades aleatorias de lectura/escritura que son 40%/55% más rápidas que 980 PRO. Experimenta hasta 1400K/1550K IOPS, mientras que las velocidades de lectura/escritura secuenciales de hasta 7450/6900 MB/s alcanzan el rendimiento máximo de PCIe® 4.0. Vuela alto en juegos, edición de video, modelado 3D, análisis de datos y más.
- Eficiencia energética de gran avance. Obtén más rendimiento mientras usas menos energía. Disfruta hasta un 50% de rendimiento mejorado por vatio en comparación con 980 PRO.
- Control térmico inteligente. El controlador de estufa alta con recubrimiento de níquel propio de Samsung ofrece un control térmico efectivo y evita caídas repentinas de rendimiento por sobrecalentamiento. Juega con confianza con una potencia térmica estable y un ruido mínimo del ventilador incluso durante los juegos con gráficos pesados. Con su tamaño delgado, 990 PRO con disipador térmico es perfecto para PlayStation®5, computadoras de escritorio y laptops que cumplen con el estándar PCI-SIG®D8.
- El creador de campeones. Una mejora de más del 55% en el rendimiento aleatorio permite cargas más rápidas para una experiencia de juego definitiva en los juegos de PC PS5 y DirectStorage. Con luces LED RGB, el diseño futurista del disipador térmico agrega estilo a la función.
- Software Samsung Magician: Desbloquea todo el potencial de 990 PRO. Saca el máximo partido a tu SSD con las herramientas de optimización avanzadas pero intuitivas de Samsung Magician. Supervisa el estado de la unidad, protege datos valiosos, recibe actualizaciones importantes y configura combinaciones de colores LED para tu 990 PRO con disipador térmico. Es tu kit de herramientas de SSD personal.
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Especificaciones
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P4T0CW |
| Tipo | - SSD |
| Capacidad | - 4 TB |
| Formato | - M.2 2280 |
| Conexión | - PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| Características | - Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC - Controller: Samsung in-house Controller - Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm - Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) - Soporte Modo Suspensión en dispositivo - Lectura secuencial: 7,450 MB/s - Escritura secuencial: 6,900 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS - Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS Entorno - Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W - Consumo energético (Idle): Max. 55 mW - Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % - Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF) - Temperatura: 0 - 70ºC - Golpes: 1,500 G & 0.5 ms Dimensiones y peso - 80 x 22 x 2.3 mm - 9.0g |
| Fecha de revisión | 21-12-2023 por RTY |