Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB PCIe 4.0x 4  NVMe 2.0

Disco Duro Samsung 990 EVO Plus 4TB Disco SSD 7250MB/S NVME PCIe 5.0 x2 NVMe 2.0 NAND

€621,95 EUR
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Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB PCIe 4.0x 4  NVMe 2.0

Disco Duro Samsung 990 EVO Plus 4TB Disco SSD 7250MB/S NVME PCIe 5.0 x2 NVMe 2.0 NAND

Caracteristicas Principales

Realice las tareas más rápido. Archivos enormes, transferencia instantánea. Energía fresca durante todo el día. Eficiencia optimizada, rendimiento extendido. El controlador recubierto de níquel aumenta los MB/s por vatio en un 73 %, logrando el mismo nivel de potencia y control térmico con un menor consumo de energía. Manténgase concentrado en el trabajo o el juego sin preocupaciones por el sobrecalentamiento o la duración de la batería.

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Productos complementarios

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Caracteristicas

Realice las tareas más rápido. El 990 EVO Plus con la última NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7250/6300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantánea
  • Energía fresca durante todo el día. Eficiencia optimizada, rendimiento extendido. El controlador recubierto de níquel aumenta los MB/s por vatio en un 73 %, logrando el mismo nivel de potencia y control térmico con un menor consumo de energía. Manténgase concentrado en el trabajo o el juego sin preocupaciones por el sobrecalentamiento o la duración de la batería.
  • Más espacio. Más velocidad. Aproveche toda la potencia de su unidad con la tecnología TurboWrite 2.0 mejorada. Procese grandes cantidades de datos más rápido y utilice gráficos pesados ​​con una región TurboWrite ampliada
  • Software Samsung Magician. Haga que su SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento de SSD. Es una forma segura y sencilla de migrar todos sus datos para actualizar su SSD Samsung. Proteja datos valiosos, controle el estado de la unidad y obtenga las últimas actualizaciones de firmware.
  • Dando vida a las innovaciones. Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han cambiado cada aspecto de nuestra vida diaria. Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestros SSD de consumo, lo que abre paso al próximo gran impulso de la innovación.
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Especificaciones


Marca Samsung
Modelo MZ-V9S4T0BW
Capacidad - 4TB
Interfaz - PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Tamaño - M.2 (2280)
Rendimiento - Lectura secuencial: hasta 7250 MB/s
- Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.050.000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS
Características - Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host)
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura
- SOPORTE DE CIFRADO
  Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal
  IEEE1667 (unidad cifrada)
- Soporte WWN
- Soporte del modo de suspensión del dispositivo
Alimentación
- Consumo medio de energía (Nivel de sistema):
  Promedio: Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W
- Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW
- Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico
- Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida
- Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)
- Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento
- Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno)
Dimensiones y peso
- 80,15 x 22,15 x 2,38mm
- Max. 9 g
Fecha de revisión 17-10-2024 por RTY