SSD SAMSUNG 9100 PRO HEATSINK 1TB NVME

SSD SAMSUNG 9100 PRO HEATSINK 1TB NVME

€224,15 EUR
Ir directamente a la información del producto
SSD SAMSUNG 9100 PRO HEATSINK 1TB NVME

SSD SAMSUNG 9100 PRO HEATSINK 1TB NVME

Caracteristicas Principales

Impulsa al máximo tus sistemas gaming o de creación con el SSD Samsung 9100 Pro 1TB PCIe 5.0 M.2: velocidad y seguridad para usuarios exigentes.

€224,15 EUR

Envío Gratis

Impuestos incluidos.

¡Sin Stock!

Productos complementarios

Tambien te puede interesar

01

Caracteristicas

Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
  • 1 TB M.2 PCI Express 5.0
  • Velocidad de lectura: 14700 MB/s 1850000 IOPS
  • Velocidad de escritura: 13300 MB/s 2600000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: PC/Consola de videojuegos
02

Especificaciones

Peso y dimensiones Altura 80,2 mm
Ancho 80,2 mm
Peso 30 g
Profundidad 8,88 mm
Condiciones ambientales Golpes en funcionamiento 1500 G
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Control de energía Consumo de energía (escritura) 7,2 W
Consumo de energía (espera) 0,004 W
Consumo de energía (lectura) 7,6 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 3,3 mW
Consumo eléctrico promedio (escritura) 7,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura) 7,6 W
Voltaje de operación 3,3 V
Empaquetado Tipo de embalaje Caja
Otras características Periodo de garantía 5 año(s)
Características Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Carriles datos de interfaz PCI Express x4
Componente para PC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardware Si
Escritura aleatoria (4KB) 2600000 IOPS
Factor de forma de disco SSD M.2
Función DevSleep Si
Interfaz PCI Express 5.0
Lectura aleatoria (4KB) 1850000 IOPS
NVMe Si
SDD, capacidad 1 TB
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Tipo de memoria V-NAND TLC
Velocidad de escritura 13300 MB/s
Velocidad de lectura 14700 MB/s
Versión NVMe 2.0